化合物半導體用的多晶硅生產。化合物廢氣半導體的原料由元素周期表上Ⅱ~Ⅵ族的元素構成，代表性的元素有鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、銦（In）等。化合物半導體單晶與Si單晶有些區別，一般采用液封CZ拉伸法（EC: Liquid Encapsulated Czochralski）制造，但是也有用合成方法生成多晶化合物并以此為原料的做法。例如，制造GaP時，按照其化學當量的比將Ga和P裝入石墨管，加蓋封閉，在加壓的同時，用中頻感應加熱至大約1500℃，使之熔融，反應生成GaP的合成多晶。這里所用的石墨要求具有高純度、高熱導性和高溫強度等特性。

由于人造石墨體積密度比鋁還輕，在常壓下不熔化蒸氣壓很小，有良好的導電性能，導熱系數比鐵、錫、鎳、汞和鉑高，而線膨脹系數卻很低，大體與玻璃相同，具有良好的耐熱沖擊性能和穩定性以及高的電子逸出功并不與汞起反應等特性，因此，它可作為水銀整流器陽極、柵極和大型電子管用石墨制品的陽極和柵極等。

水銀整流器和電子管用石墨制品的性能

水銀整流器和電子管用石墨制品要求灰分雜質含量少，機械強度高。灰分雜質在陽極表面能放射電子，特別有害的是半導體的雜質，如硅、堿金屬和堿土金屬（包括鈉、鉀、鈣、鎂及其氧化物）。因為這些雜質容易使整流器產生逆弧現象。有泵陽極灰分要求小于0.035％，而無泵水銀整流器陽極裝入機體后，除解體檢修外，不能抽氣。如存有灰分雜質影響更大，要求灰分小于0.01％。此外，還要求石具有一定的機械強度，表面加工均勻一致，氣孔率小、致密等。

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