石墨的線脹系數很低。一個發射管的工作頻率只能在經過足夠的預熱時間以后才能測出，在這段時間里，如果材料具有較大的線脹系數，頻率將發生偏移。而石墨線脹系數很小，在高溫中經過脫氣后不會引起這種現象，不會發生扭曲變形。石墨電子熱...

水銀整流器和電子管用石墨制品器件的人造石墨材料，采用灰分含量低的細顆粒焦炭粉末（如瀝青焦、石油焦等）和少量鱗片狀石墨粉，并用瀝青作黏結劑，經混合、磨粉、壓制、焙燒和石墨化等工序而制成。經過高溫石墨化處理（2600℃以）的...

化合物半導體用的多晶硅生產。化合物廢氣半導體的原料由元素周期表上Ⅱ~Ⅵ族的元素構成，代表性的元素有鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、銦（In）等。化合物半導體單晶與Si單晶有些區別，一般采用液封CZ拉伸法（EC: Liq...

多晶硅生產用石墨制品硅半導體用的多晶硅生產用石墨制品。當今，硅材料是以存儲器為核心的半導體產業所使用的主要原料。其生產制造過程中大量使用多晶硅生產用石墨制品。多晶硅的生產工藝為，將純度較高的石英石（SiO2）混以焦炭、木...

化合物半導體液相外延生成用高純石墨制品把拉伸法制造的化合物半導體單晶棒制成硅片，再用液相法在硅片上生長同種或異種的化合物半導體結晶層。這個過程使用的裝置有臥式滑動舟型、臥式旋轉滑動型、豎式浸漬型等種類。圖2-11所示為臥...

化合物半導體單晶生產用炭素石墨制品化合物半導體單晶制造基本上以CZ法為主由于As、P等元素的蒸氣壓較高，與Si不同而采用加壓拉伸（LEC法），由不同元素組合而成的化合物半導體較多，僅以使用炭素石墨制品較多的GaAs單晶的...

近年來生產單晶硅也趨向大型化，開始拉伸直徑12in的單晶硅。使用的熱區范圍多在32in左右使用的炭素制品為與石英坩堝相匹配、石墨坩堝外徑約為φ860mm、加熱器約為1000m，其他部件最大的為直徑1500mm隨著大型化，...

單晶硅與多晶硅生成用炭石墨制品單晶硅的生產（CZ拉伸法）制造單晶硅棒的工藝有拉伸法（CZ）和浮游帶區域精煉法（FZ），CZ法一般使用石墨制品。利用CZ法生產時，將多晶硅塊料和添加元素（摻雜）裝入石英坩堝，再將石英坩堝置于...

半導體工業用石墨制品材料的處理未使用過的石墨制品材料發熱體、保溫罩、托架和籽晶夾、石墨坩鍋等器件，因在機械加工時有石墨粉附著在石墨制品材料器件的表面或浸入石墨體氣孔中，也可能有其他雜質浸人石黑孔隙中，為了防止在使用中對半...

用未燃燒的石油焦制成的石墨制品，是二種機械強度很高的細粒結構材料，可用于制作電子技術制品，如排期、薄板、因盤、真空爐和高頻電爐的加熱器、巡熱被、解泰她簽屬的石墨皿、高溫實驗裝置的把持器（夾頭）、熱壓壓模和過濾器等。此種材...